含镁大于2%的合金不能用。在高温，一些金属起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增长的次序由小到大地排列则如下：因科镍合金、奥氏体不锈钢、镍、钢、铝、铜、青铜、黄铜、银。四氟化1碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化1碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。将其通过装有氢1氧化钠溶液的洗气瓶除去四氟1化硅，随后通过硅胶和五氧1化二磷干燥塔得到终产品。由于化学稳定性极强，四氟化碳采购，CF4还可以用于金属冶炼和塑料行业等。

随着芯片制程向7纳米迈进，细微杂质对芯片的损害更为明显，电子产业对高纯电子气体的纯度要求进一步提高，在此背景下，我国高纯四氟化碳生产技术与产品质量仍有提升空间。四氟化碳是一种卤代烃，化学式CF4。它既可以被视为一种卤代烃、全氟化碳，也可以被视为一种无机化合物。零下198 °C时，四氟化碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597， b= 4.433， c = 8.381 (.10-1?nm)， β = 118.73° 。高纯四氟化碳在常温常压条件下化学性质稳定，高纯四氟化碳是一种高纯电子气体，在电子产业中需求量大。

四氟化碳（CF4）早就是通过氟碳直接反应法制得的，该方法经过不断的发展与完善， 如今已成为工业上制备全的主要的方法之一。四氟化碳用作低温制冷剂及集成电路的等离子干法蚀刻技术。生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化后，随后通过硅胶干燥塔得到产品。在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分，后经精馏而得成品。

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